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全国人大代表冯丹:破解芯片发展难题,需要培养一流人才
2021-03-08 15:14
新华网
作者:

  全国人大代表、华中科技大学计算机学院院长、教授冯丹近日接受新华网两会采访时表示,武汉国家存储器基地于2020年推出的128层QLC 3D NAND产品,实现了闪存存储器芯片国产化,抓住了产业发展机遇,解决我国存储器卡脖子问题的关键,如今正在部署下一代存储器技术。

  存储芯片作为数据的载体,是信息社会的基石,以闪存为代表的现有存储芯片将继续在大容量、高性能、高可靠核心技术上取得突破,以应对互联网大数据时代数据爆炸式增长需要。冯丹表示,“十三五”期间,我国集成电路产业规模不断增长,技术创新取得了突破,“十四五”期间将会有更多创新技术涌现。下一代高速低能耗非易失存储器技术、存算一体化芯片技术将成为新的发展趋势。

  高端芯片的设计和生产是一个系统性工程,其中涉及材料、机械、微纳工艺、微电子、计算机等多个学科,缺一不可。冯丹指出,目前存储芯片还处于补短板和追赶的阶段,缺乏先进技术,缺少领军人才,这是现阶段面临的最大挑战。行业所需的人才不仅需要科研业务强、有一线工作经验的高素质工程师,又需要具有前瞻视野的产业科学家,还需要了解芯片行业的投资人。“未来需要进一步加强学科群建设,建设集合技术、人才、产业等完整的生态圈来共同培育促进。”冯丹说。

  创新驱动实质是人才驱动,人是科技创新最关键的因素,从科技创新人才后备力量的输送角度来看,培养未来科技创新人才,还要厚植科技创新沃土。冯丹表示,通过选拔品学兼优的中学生走进大学,在自然科学、基础学科等领域著名科学家的指导下,参加科学研究、学术研讨和科研实践,使中学生感受名师魅力,体验科研过程,可进一步激发学生的科研热情,提高创新能力。中国科协和教育部主办的“英才计划”等科技教育项目,就很好地促进了中学教育与大学教育相衔接,是建立高校与中学联合发现和培养青少年科技创新人才的有效模式,为青少年科技创新人才不断涌现和成长营造了良好的社会氛围。

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