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据中国科学院微电子研究所官微消息，中国共产党党员，中国科学院院士，我国杰出的微电子科学家，中国科学院微电子研究所研究员，原中国科学院微电子中心主任，第九届、第十届全国人民代表大会常务委员会委员吴德馨同志，因病医治无效，于2026年3月23日13时15分在北京逝世，享年90岁。
公开资料显示，吴德馨，女，1936年出生，河北乐亭县人。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子所研究员。1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。
20世纪60年代初，吴德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。
吴德馨在20世纪70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。
随后，吴德馨在20世纪80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。
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